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iDEAL Semiconductor推出SuperQ™技术，开创硅功率器件性能新时代

该技术突破了限制硅技术发展的障碍，为客户提供了效率更高、体积更小、成本更低的产品

宾夕法尼亚州利哈伊谷2023年5月16日/美通社/ -- 专注于提供突破性电源效率的无晶圆厂半导体公司iDEAL Semiconductor今天宣布其专利的SuperQ技术全面上市。 SuperQ可在许多应用中减少功率损耗，包括数据中心、电动汽车、太阳能电池板、电机驱动、医疗设备和白色家电。 其更高的效率减少了碳足迹，以实现更可持续的未来。

iDEAL的工程师和科学家改造了功率器件架构，在性能上实现了阶梯式提升。 该技术基于占全球半导体制造能力95%的硅，并与未来的功率半导体材料向前兼容。

在过去20年中，基本功率半导体结构的创新有限，硅功率器件的性能已经趋于稳定。 进一步提高性能的尝试集中在材料方面，而不是扩大硅的极限。 通过原子级的科学研究和工程设计，iDEAL Semiconductor创造了一种新颖的架构，设定了性能的下一个前沿，并推翻了该行业已经走到硅进步之路尽头的观点。

iDEAL Semiconductor首席执行官兼联合创始人Mark Granahan说："iDEAL Semiconductor是为数不多的专注于制造功率器件工艺和架构的公司之一。 我们对硅的改进可以与其他材料提供的改进相媲美，但具有硅的可制造性、可用性和可靠性。 通过在美国与应用材料公司(Applied Materials)和Polar Semiconductor的合作，我们实现了以前难以想象的性能提升。 不论材料如何，我们解决了对功率器件日益增长的需求。 随着当前全球对更绿色未来的推动，我们非常兴奋能在让产品更具可持续性方面发挥作用，同时也展示了对美国半导体行业的投资可以实现的成就。"

通过原子水平的科学和工程实现，SuperQ提供了创纪录的单位面积电阻(RSP)。 该技术最初针对高达850伏(V)的电压，为系统工程师提供改进的功率半导体器件，例如二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和集成电路(IC)。 例如，基于SuperQ的200V MOSFET的电阻比现有硅低6倍，比氮化镓低1.6倍。 采用SuperQ技术设计的电机驱动逆变器可节省高达50%的功率损耗。 该技术是使用最先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)设备制造的。

此次发布是在C轮融资之后进行的，使总投资超过了7500万美元。iDEAL的投资者是总部位于美国的高净值家族办公室和成功企业家，他们对发展美国国内半导体行业兴趣浓厚。 利用这笔资金，iDEAL Semiconductor正在积极扩大其招聘、产品扩散和美国制造能力。

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